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碳化硅襯底片
碳化硅襯底片

碳化硅(SiC)——第三代半導(dǎo)體單晶材料

迄今為止,以硅(Si)、砷化鎵(GaAs)為代表的第一、第二代半導(dǎo)體推動(dòng)了微電子、光電子技術(shù)的迅猛發(fā)展。隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,半導(dǎo)體器件需求也在增加,電流、電壓等級(jí)越來(lái)越高,芯片越薄越小,導(dǎo)通壓降低,開關(guān)頻率高、損耗小等等。Si基半導(dǎo)體由于材料特性所限已經(jīng)無(wú)法滿足需求,而以碳化硅SiC等新材料為主的新型半導(dǎo)體材料,以其優(yōu)越的性能突破Si的瓶頸,給半導(dǎo)體器件性能帶來(lái)了顯著提升。
碳化硅SiC半導(dǎo)體器件的優(yōu)勢(shì)
(1)比導(dǎo)通電阻是Si器件的近千分之一(在相同的電壓/電流等級(jí)),可以大大降低器件的導(dǎo)通損耗; (2)開關(guān)頻率是硅器件的20倍,可以大大減小電路中儲(chǔ)能元件的體積,從而成倍的減小設(shè)備體積,減少貴重金屬等設(shè)備的消耗; (3)理論上可以在600度以上的高溫環(huán)境下工作,并有抗輻射的優(yōu)勢(shì),可以大大提高系統(tǒng)的可靠性,在能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域具有巨大的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用價(jià)值。
碳化硅晶體6英寸
碳化硅晶體6英寸
碳化硅晶體4英寸
碳化硅晶體4英寸
加工后SiC單晶片
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